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    业内新闻

    东芝要做64层3D闪存重磅发布!

    发布时间:2016-09-28     来源:华军数据恢复中心     [打印]
      三星3D V-NAND立体堆叠闪存行业闻名,而且已经堆到了惊人的48层,工艺精良,不过据《日经亚洲评论》报道,东芝正在谋划多达64层的NAND闪存,比三星多三分之一!
      7月15日,东芝举办了日本三重县四日市(Yokkaichi)半导体二厂的启用仪式,并透露将在此生产48层堆叠闪存,并计划2016财年(截止到2017年3月底)内量产。
      这种闪存的成本和价格会比较高,但是因为容量可以做的更大,平均价格反而会更便宜,可用于从智能手机、固态硬盘到数据中心等各种领域,初期主要供应持续增长的数据中心。
      其实,东芝在今年春天就已经开始生产48层闪存了,并预计2017财年3D闪存将占其总产能的50%,2018财年突破80%。
      三星则可能会在2017年下半年启用位于韩国京畿道平泽市的新工厂,生产自己的64层闪存,但官方尚未明确表态。
    64层3D闪存

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